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Keysight B1506A 曲線追蹤儀 銷售

簡要描述:Keysight B1506A 曲線追蹤儀 銷售,是一款用于電路設計的綜合解決方案,可幫助電力電子電路設計人員選擇適合自身應用的功率器件,讓其電力電子產品發揮最大價值。 它可以評測器件在不同工作條件下的所有相關參數,包括 IV 參數(擊穿電壓和導通電阻)、三端 FET 電容、柵極電荷和功率損耗。 用于電路設計的 B1506A 功率器件分析儀/曲線追蹤儀具有完整的曲線追蹤儀功能以及其他功能。

  • 產品型號:是德 B1506A
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2025-08-13
  • 訪  問  量:998

詳細介紹

品牌KEYSIGHT/美國是德價格區間面議
產地類別進口應用領域電子/電池

Keysight B1506A 功率器件分析儀詳解

1. 產品概述

Keysight B1506A 曲線追蹤儀 銷售(Keysight Technologies)推出的功率器件分析儀,屬于B1500A系列的最新升級型號。該設備專為第三代半導體(SiC/GaN)、高壓IGBT模塊、功率MOSFET等器件的靜態參數測試、動態特性分析和可靠性驗證設計,提供業界的6kV高壓測試能力2000A脈沖電流驅動,是功率電子研發與量產測試的解決方案。


2. 核心功能與特點

2.1 極限測試能力

  • 超高電壓/電流范圍

    • 電壓:±6kV(DC)或±3kV(脈沖模式)

    • 電流:±2000A(脈沖,10ms脈寬)

    • 功率:50kW瞬時功率(配合水冷選件)

  • 超低電阻測量:0.01mΩ分辨率(四線開爾文連接)

2.2 全參數測試覆蓋

  • 靜態參數

    • 擊穿電壓(BVdss)、閾值電壓(Vth)

    • 導通電阻(Rds(on))、漏電流(Idss)

  • 動態參數

    • 雙脈沖測試(DPT)開關損耗(Eon/Eoff)

    • 柵極電荷(Qg)、反向恢復時間(trr)

  • 可靠性測試

    • 高溫柵偏(HTGB)、功率循環(10萬次+)

    • 雪崩能量(EAS)測試(Unclamped Inductive Switching)

2.3 創新技術

  • HyperSpeed PWM控制

    • 硬件級實時控制(延遲<5ns)

    • 支持SiC/GaN器件的超快開關測試(dV/dt >100V/ns)

  • CVU Pro選件

    • 寬頻電容-電壓測試(1kHz~10MHz)

    • 柵極氧化物缺陷分析(QBD/TDDB)

2.4 系統集成與安全

  • 模塊化架構

    • 主機 + 可擴展測試模塊(如B1517A 6kV模塊)

    • 支持多DUT并行測試(選配)

  • 智能防護

    • 電弧檢測與自動斷電

    • 光隔離保護(符合IEC 61010-1安全標準)

  • 軟件生態

    • 標配EasyEXPERT+軟件(預置JEDEC/AEC-Q101模板)

    • 支持Python/API自動化控制


3. 典型應用場景

3.1 寬禁帶半導體研發

  • SiC MOSFET:高溫(250°C)動態導通電阻測試

  • GaN HEMT:Current Collapse效應分析

  • 功率模塊:多芯片并聯均流特性

3.2 新能源汽車電驅

  • 電機控制器功率器件選型驗證

  • 車載充電機(OBC)效率優化

3.3 工業能源設備

  • 光伏逆變器MPPT特性測試

  • 高壓直流輸電(HVDC)IGBT模塊評估

3.4 量產測試

  • 晶圓級參數分選(Wafer Probing)

  • 終檢(FT)自動化系統集成


4. 技術規格

參數規格
最大直流電壓±6kV
最大脈沖電流±2000A(10ms)
導通電阻測量范圍0.01mΩ~10kΩ
電容測試頻率1kHz~10MHz(CVU Pro選件)
時間分辨率1ns(動態測試)
系統精度±0.05%讀數(電壓/電流)

5. 系統配置方案

基礎配置

  • B1506A主機

  • B1517A高壓模塊(6kV/50mA)

  • 低電感測試夾具(支持TO-247/DFN封裝)

擴展選件

  • B1506A-PWU:2000A脈沖驅動單元

  • B1506A-THERM:高溫測試套件(-65°C~+300°C)

  • B1506A-PAR:多DUT并行測試模塊


6. 與B1505A的對比升級

特性B1506AB1505A
電壓能力6kV(翻倍)3kV
電流能力2000A脈沖1000A脈沖
動態測試HyperSpeed PWM(<5ns延遲)標準雙脈沖(10ns延遲)
應用場景高壓SiC/電網級IGBT中低壓功率器件

7. 操作示例(6kV SiC MOSFET測試)

  1. 安全準備:連接光隔離探頭,啟動電弧防護

  2. 靜態測試

    • 掃描Vds-Id曲線(0~6kV)

    • 測量高溫(200°C)下Rds(on)

  3. 動態測試

    • 雙脈沖配置:Vds=3.3kV, Id=500A

    • 捕獲開關波形(Eon/Eoff損耗分析)

  4. 可靠性驗證

    • 執行1000次雪崩能量測試(EAS)


8. 總結

Keysight B1506A憑借其6kV/2000A的極限測試能力全生命周期分析功能,成為:

  • 超高壓功率器件研發的黃金標準

  • 車規級半導體認證的核心工具

  • 電網/能源設備驗證的技術

該設備特別適用于:

  • 半導體廠商(Wolfspeed/Infineon/ST)

  • 新能源汽車電驅開發商(特斯拉/比亞迪)

  • 電力電子實驗室

對于需要突破傳統測試設備極限的用戶,B1506AKeysight B1506A 曲線追蹤儀 銷售提供了覆蓋從研發到量產的6kV級解決方案


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